MA200 Gen3 Mask-Aligner
Justierungs- und Belichtungsprozesse für eine Vielzahl von Anwendungen
Der MA200 Gen3 Mask-Aligner eignet sich aufgrund seiner für die Großserienfertigung ausgelegten Konzeption für die automatisierte Verarbeitung von Wafern und eckigen Substraten bis zu einer Größe von 200 mm. Das System vereint Vollfeldlithografie mit einer Reihe innovativer Funktionalitäten. Dadurch ist die Maschine ideal für eine Vielzahl von Anwendungen ausgestattet, wie der Herstellung von MEMS in Dicklack-Prozessen, 3D-Strukturierung auf erhöhter Topografie sowie Anwendungen im Bereich Advanced Packaging wie 3D-Packaging, Fan-out, Bumping ebenso wie Verbindungshalbleiter und Bildsensoren.
Highlights
- Führende Prozessstabilität
- Unübertroffener Durchsatz bei dickem Material
- Prozessflexibilität für eine Vielzahl von Anwendungen
Der MA200 Gen3 bietet intelligente Lösungen und deckt eine große Bandbreite an Produktionsprozessen ab. Die Wahlmöglichkeit zwischen verschiedenen Justierungsmethoden, flexibel einstellbaren Optiken und speziellen Zusatzoptionen machen das System zu einem einzigartigen Universalgerät, das eine Vielzahl unterschiedlicher Prozesse bedient.
Ein hoher Grad an Automatisierung sowie ihre große Zuverlässigkeit sparen wertvolle Prozesszeit. Dies zeigt sich unter anderem in Detaillösungen wie dem optionalen automatischen Filterwechsel, der die Betriebskosten auf einem niedrigen Niveau hält.
Beim Design des MA200 Gen3 stand die Benutzerfreundlichkeit im Vordergrund. Eigenschaften wie ein höhenverstellbarer Monitor, eine ergonomische I/O-Schnittstelle, die Austauschmöglichkeit, von Waferkassetten während des laufenden Betriebs und ein unversperrter Blick auf das Belichtungsmodul erleichtern die Bedienung der Anlage auch bei hoher Belastung.
Mit einer großen Auswahl an Zusatzoptionen lässt sich der MA200 Gen3 einfach an die Anforderungen auch ungewöhnlicher Lithografieprozesse anpassen. So ermöglichen spezielle Wafer-Handling-Toolings, die für Kundenanforderungen angepasst werden können, die Bearbeitung von empfindlichen Substraten wie ultradünne Wafer oder von Substraten aus brüchigen Materialien.
