MA100/150e Gen2 Mask-Aligner
Der Mask-Aligner für die Massenfertigung von Verbindungshalbleiter-Bauelementen
Mit dem MA100/150e Gen2 bietet SÜSS MicroTec eine Mask-Aligner-Plattform speziell für die Verarbeitung empfindlicher Verbindungshalbleiter, wie zum Beispiel sehr heller LEDs (HB-LEDs), Leistungshalbleiter oder HF-MEMS an. Durch seine hochpräzise Justage, das speziell auf die Handhabung zerbrechlicher, gewölbter und transparenter Wafer abgestimmte Handlingsystem und die hohe Auflösung bis hin zu 0,7 µm meistert der MA100/150e Gen2 mühelos alle Produktionsanforderungen eines LED-Fertigungsprozesses.
Highlights
- Speziell auf die Herstellung von HB-LEDs, Leistungshalbleitern und HF-MEMS zugeschnittener Mask-Aligner
- Gleichzeitige Verarbeitung von drei Wafern, Durchsatz von 145 wph einschließlich Autojustage und Belichtung
- Spezielle Mehrfachgrößen-Ausrüstung minimiert Zeitaufwand beim Wechseln von Wafergrößen
- Abstandsbelichtung bis zu 3 µm L/S bei einem Belichtungsabstand von 20 µm bei dünnen Lacken und auf 100 mm Wafern
- Berührungslose Vorjustage verhindert Beschädigung des Wafers
- 'Line Alignment' für die Justage von Saphir-Wafern richtet Ritzlinien hochgenau zur Fotomaske aus.
Basierend auf der produktionserprobten Mask-Aligner-Technologie von SÜSS MicroTec bietet der MA100/150e Gen2 eine hervorragende Prozessskalierbarkeit und kurze Produkteinführungszeiten für neu entwickelte Bauelemente. Der branchenführende Durchsatz von 145 Wafern pro Stunde verkürzt die Durchlaufzeiten.
Der MA100/150e Gen2 wurde eigens für die Bearbeitung von Wafergrößen bis 6" ausgelegt und erreicht bei der Justage zuverlässig <± 0,7 µm (DirectAlign). Optional ist auch eine Rückseitenjustage (BSA) mit einer Genauigkeit von <±1,5 µm verfügbar. Die Justiereinheit des MA100/150e Gen2 wurde zusätzlich speziell für die LED-Herstellung optimiert. Das Erkennen von Targets ist selbst bei transparenten und Wafern mit rauher oder stark strukturierter Oberfläche gewährleistet.
Die neue 'Line Alignment'-Funktion wurde speziell für Anwendungen mit Ritzlinien entwickelt. Diese ersetzten die herkömmlichen Justiermarken und ermöglichen die präzise Justage von geritzten Saphir-Wafern zur Fotomaske.
