工艺技术

顶面对准（TSA）

在光刻工艺中，只需对准器件晶圆同侧的结构（例如再布线层、微凸点 等），用顶部对准功能将掩模位置标记对准晶圆位置标记。 根据衬底的特性，这可以用存储的晶圆位置数据或者用两个现场照片 、SUSS 开发的DirectAlign™ 直接对准技术实现。

我们的客户可以从中得到以下好处

• 掩模对准器极高的对准精度
• 清晰、强大的图像识别功能，即使在对比度不理想的情况下

将一个已形成结构的掩模与圆晶对齐，然后将掩模与圆晶的距离缩得非常小（因此又叫“接近式光刻”）。 在曝光过程中，掩模结构的影子被转移到圆晶上。 掩模于圆晶之间距离的精度以及曝光镜头系统的质量，一起决定了曝光结果的质量。

该方法因为速度快，应用灵活，从而成为微结构生产最具成本效益的方法，它能生产出最小4微米的微结构。 接触式曝光能达到亚微米级别的分辨率。 典型的应用范围包括圆晶级芯片尺寸封装、倒装芯片封装、凸点、微电子机械系统（MEMS）、LED和电力设备等领域。 这些系统被应用到了大规模生产的以及工业研究领域中。

SUSS 公司的掩模对准器以阴影工艺为基础。

我们的客户可以从中得到以下好处

• 因为镜头系统衍射减少，从而得到更突出的分辨率。
• 使用了微镜片镜头系统，所以工艺稳定

旋涂是将某种溶液均匀涂覆在某种旋转基板上的工艺。溶液，例如某种光刻胶，被配送到晶圆的中心。随后的加速度以及分配给各个步骤的旋转速度与时间，确保多余的光刻胶被甩掉后，基板上能保持均匀厚度的光刻胶。除工艺参数之外，溶液或光刻胶的物理性质也决定了胶膜的厚度。
旋涂的应用，仅限于没有大起伏表面的结构。

在此工艺中，一定量的显影剂被滴在曝光后的衬底上，并通过适度的旋转分散开。 显影液因其表面张力在晶圆上形成凸状的液面（“Puddle”）。 当显影时间结束后，通过提高旋转速度甩干晶圆上的显影液。 然后，用去离子水冲洗晶圆并同样提高转速甩干。 这种方法的优点是，只需使用少量显影液，就能提供优异的显影结果。

浸置式显影法不得用于显影液达到饱和时，例如当必须除去大量显影后的光刻胶时或者凹凸图形阻碍了更换显影液时。 在这些情况下，需多步使用浸置式显影或者使用喷涂式显影 。

我们的客户可以从中得到以下好处

• 化学品用量降低

インクジェットプリンティングは、様々な用途に機能性材料を応用したアディティブマニュファクチャリング技術です。これらの機能性材料は、誘電性、導電性、接着性、機械的特性、光学的特性、化学的特性を持ち、デジタルファイルからピコリットルサイズの液滴で印刷されます。

その精密な液滴配置と正確な液滴量から、機能性インクジェット印刷はプリンテッドエレクトロニクス、ディスプレイ、OLED、センサー、PCB、半導体組み立て、化学機械加工、太陽光発電、ライフサイエンス、光学に適しています。

インクジェットプリンティングは、リソグラフィー、スクリーン印刷、スプレーコーティング、ディスペンサーなどの技術に代わって、20ミクロンまでの微細な形状を作成することができます。マスクやスクリーンが不要になるため、材料の使用量を大幅に削減し、製品の切り替え時間を短縮することができます。

インクジェットは、基板とインクジェットヘッドとの距離が1mm程度で、非接触で成膜を行う技術です。そのため、壊れやすい基板にダメージを与える心配がありません。また、インクジェットは既存の3Dトポロジーの上に成膜することができ、スクリーン印刷などの従来の技術では困難であった溝や空洞を埋めることができます。

这种使用聚合物和胶黏剂的键合方法可用于许多种材料，如环氧材料、干性薄膜、BCB、聚酰亚胺及可紫外固化的化合物。

为降低薄晶圆处理 的风险，晶圆在减薄之前应预先置于晶圆载体上。 这种键合仅用于接下来的加工步骤 - 完成晶圆加工后会解除键合。

临时键合的必要步骤

• 涂覆剥离层（涂层 或 等离子体活化)
• 涂覆粘材
• 键合
• 热固化或紫外线固化

SUSS 公司的开放平台兼容临时键合的所有常见材料系统。 除了已用于生产的工艺外，SUSS 公司还在不断的鉴定更多材料，以便最大范围的支持市场上可供选择的粘材。

我们的客户将受益于

• 开放的、可灵活配置的键合平台，支持所有常用粘材和工艺
• 在一台设备中涂覆粘接层和剥离层，以及临时键合
• 测量晶圆厚度和厚度变化（TTV）的集成测量系统

压印光刻是一种制造各种纳米到微米级结构的技术，低成本，可靠性高。

将一块印模放在基材上与感光材料接触，实现复制。胶填充压模的三维结构，然后在紫外光的作用下固化。图案、结构解析和模具等因素对该过程有很大的影响。

压印光刻能够与传统的半导体生产工艺兼容，在 DFB 激光器，高亮度 LED，晶圆级相机和微机电系统等组件的开发和生产中起到了非常关键的作用。

苏斯公司（SUSS）基于手动光刻机所开发的压印光刻解决方案，能够处理各种材料及最大 200 mm 的基板。如果要求多道压印工序并行，则能够将基板和压模精确对准。压印装置可便捷地加装在 SÜSS 光刻机上。

苏斯公司根据工艺要求，在其光刻机上采用不同的压印技术

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等离子体处理技术用于在晶圆键合和直接键合应用中活化表面。 此技术是基于介电阻挡放电原理。 为了得到均匀的等离子体放电，需要两个电极，其中至少有一个电极配有足够厚的电介质并且它们的间距必须足够小。 现在，如果施加交流电压，它们会在大气压力下均匀的放电，这使得昂贵的真空技术变得多余。

在器件制造过程中，掩模污染会影响光刻设备的正确成像过程。亚微米颗粒和有机/无机污染，都有可能危及良率。因此，光掩模的准备、清洗和把持在光刻生产工艺中起着至关重要的作用。此外，下一代光刻技术要想达到22 nm及更高级的技术节点，需要非常有效的清洗技术，尽可能避免图案损伤、光学特性变化。"零颗粒 "的理念因此不可或缺。

基板类型覆盖了各种材料的传统二元光掩模到相移掩模（PSM）。在光掩模生产过程中、最终用户（设备制造商）的应用过程中，每一种都需要匹配的清洗技术。

一个全面的清洗工艺包括：

• 表面准备
• 光刻胶剥离与有机物清除
• 颗粒物去除
• 残余离子去除
• 干燥、表面净化与保存