MA100/150e Gen2 掩模对准机
SUSS为热门化合物半导体工艺专门设计了一款新型光刻平台：MA100/150e Gen2。化合物半导体工艺，是指诸如高亮发光二极管（HB-LEDs）、功率器件、RF-MEMS等方面的半导体应用。MA100/150e Gen2具备高精度对准功能，上至0.7µm的光刻分辨率，拥有为易碎、翘曲或透明晶圆片定制的传载系统等强大功能和配置，足以应对LED制造领域目前所有的工艺难题。它的推出将帮助客户提高制造效率，并有效降低成本。
亮点
- 为高亮发光二极管（HB-LEDs）、功率器件、RF-MEMS等专门设计的光刻机
- 同时传载3片晶圆片，产量>145片/小时（包括自动对准时间和曝光时间）
- 通过SUSS的衍射消减光学系统，可以在接近式曝光条件下获得更好的分辨率（薄胶，20um曝光间距时获得高至3µm L/S的分辨率）
- 多尺寸夹具最大程度减少更换晶圆片尺寸的时间
- 非接触式预对准，避免晶圆片损坏
- 蓝宝石晶圆的 "线对准 "功能，将划线精确地对准掩模。
基于SUSS的光刻机经典设计，MA100/150e Gen2提供了卓越的工艺延展性，使客户能够将新的芯片设计快速投入市场，其光刻作业产量高达每小时145片。
MA100/150e Gen2针对上至4英寸的小尺寸晶圆片进行了特别优化设计。系统可以稳定地达到优于0.7µm的对准精度（直接对准）。选配的底部对准功能（BSA），对准精确度优于±1.5 µm。MA100/150e的对准单元针对LED制造工艺要求进行了特别调校，透明和表面粗糙的晶圆片都能获得极好的对比度。
