DSC300第三代投影扫描光刻机
1X 步进光刻机的高产能替代品
SUSS MicroTec公司推出了其下一代投影扫描光刻机‐‐DSC300 Gen3。这种专有的扫描光刻平台拥有三位数的产能，并达到解析度（< 2 μm）的分辨率，是1X投影光刻系统中生产成本最低的。
用于200毫米和300毫米晶圆的灵活切换的DSC300 Gen3Bridge‐Tool经过重新设计，性能更高，缩短不必要的时 间 。DSC300 Gen3扫描仪可提供每小时超过80片的300毫米晶圆产量。。其增强的1X Wynne‐Dyson光学镜组和四个可按工艺菜单可选择的数值孔径（NA），使其能够在薄光刻胶的应用中实现2微米的精细分辨率，以及在厚光刻胶应用中实现>100微米的DoF。DSC300 Gen3的全视野成像技术支持大尺寸晶粒图案和异质集成的混合芯片封装的行业路线要求。此外，扇出式晶圆级封装应用可以从其光学晶粒偏移补偿选项中受益。这个最新的晶粒偏移和挤进/挤出缓解功能可以纠正高达±200ppm（在直径为300毫米的晶圆上为30微米）。
通过投影扫描光刻机DSC300 Gen3，苏斯微技术公司为其掩模对准器产品组合提供了一项补充技术，并为传
统的投影步进光刻技术提供了最低生产成本的选择。
亮点
- 高达每小时80片的产能 (400 mJ/cm² 剂量)
- 1X投影光刻工具中最低的CoO
- 与1X紫外光步进光刻机一样的2微米分辨率
- ≤ 1.0 μm 套刻精度（均值+3 sigma值)
- 无拼接的全场大晶粒图形化
- 用于FOWLP的± 200 ppm光学晶粒偏移补偿
1X步进器的替代品
传统的1X步进光刻机浪费了过多的时间来提高平台移动速度，降低平台速度，然后停止和稳定。这种浪费的时间是乘以50~70次的曝光的累加，直接导致产能相当低。
相对而言，DSC300 Gen3采用其专有的平滑、连续的蛇形扫描技术，速度特别快‐‐没有停下来浪费时间的情况 。高度均匀的光束及其控制良好的投射区域确保了晶圆边缘的所有图形特征得到与晶圆内部相同的均匀曝光剂量。此外，光束在每次扫描时都会有50%的重叠，以进一步均匀化整个晶圆的剂量。
在每次扫描曝光之前，系统都会测量紫外线强度并控制平台的速度，以提供工艺菜单中所设定的预期紫外线剂量。整个晶圆上的扫描光强均匀性可以达到97%≤3%的不均匀度）。
特点和优点
- 使用易于设计的全场掩模光刻版（非倒置）。
- 最佳的图案和位置复制
- 适用于大芯片和异质集成的卓越技术
- 没有步进曝光范围大小的限制‐没有拼接的问题
- 曝光时间快，并且均匀性好
高产能
DSC300 Gen3投影扫描光刻机将1X投影光刻技术的产能提升到了新的高度‐‐在低剂量的情况下达到三位数的水平（ 对于300毫米晶圆来说，最高可达80wph）。DSC300 Gen3的另一个优势是，无论晶粒大小或晶圆图形布局如何，高产能对于特定的紫外线剂量是稳定的。此外 ，晶圆边缘曝光（WEE）和晶圆边缘保护（WEP）是由全场掩膜图形版直接处理，不需要花额外工艺时间。
- 与1X步进机相比，产能大幅提高
- 产能不受晶粒尺寸、曝光场区尺寸或图形影响