MA/BA Gen4 系列掩模和鍵合對準器

頂面對準（TSA）

光刻工藝只需要對準器件晶圓一側的結構（例如RDL、微凸塊和類似技術），則使用頂部對準將掩模上的基準與晶圓的基準對齊。根據基板特性，這可以使用存儲的晶圓位置數據或通過即時圖像對齊來實現，如SUSS發明的DirectAlign®系統。

亮點

• 最高等級對準精度的光罩對準曝光機
• 即使在對比度較差的條件下也能清晰穩定的模式識別

具有特定結構的光罩版與晶圓非常接近地對準（因此是 "接近式 "曝光）。曝光時，光罩結構投下的陰影會轉移到晶圓上。獲得的曝光品質，取決於光罩和晶圓的間隔精度以及用於曝光的光學系統。

因為快速、適合的靈活實施方案，該方法被認為是製備尺寸最小至4 µm的微結構最具有性價比的技術。通過接觸式曝光，可以達到亞微米級的解析度。典型的應用領域包括：晶圓級晶片級封裝、倒裝晶片封裝、凸點、MEMS、LED和功率器件。這些系統部署在量產和工業研究中。

SUSS的光罩對準曝光機，是基於接近式曝光技術的。

性能與優點

• 由於採用了減少衍射的光學技術，具有卓越的解析度
• 使用微透鏡光學系統，實現了製程穩定性

MO Exposure Optics®是一種為SUSS光罩對準機專門設計的獨特的照明光學器件。它基於微型透鏡板，而不是宏觀的透鏡元件。通過簡單的隨插即用，可以在不同的角度設置之間快速輕鬆地轉換，包括經典的SUSS HR與LGO照明光學器件的功能。

MO Exposure Optics®的遠心照明，改善了光的均勻性，從而得到更大的製程窗口。因此可提高良率。MO Exposure Optics®還將曝光光源產生的曝光光束解耦，因此燈的微小錯位不會影響光的均勻性。解耦的光源，節省了安裝和維護時間，並保證了曝光燈整個壽命期內的均勻照明條件。

亮點

• 整個曝光區域內出色的曝光均勻性
• 穩定的光源
• 通過更換照明濾鏡定制照明方式
• 採用熔石英微光學器件，具備 "DUV就緒 "的製程能力
• 特殊的 "縮微套件"，將光線壓縮至更小的晶圓尺寸

自動對準是基於電動對準平臺的。基於COGNEX®的模式識別軟體，自動識別晶圓目標位置並控制對準平臺的移動。與SUSS的DirectAlign®配合使用，可實現低至0.25 μm的精度。自動對準實現了製程結果的最高可重複性，同時優化了產量、將操作者的干預最小化。

曝光製程的模擬

曝光製程的模擬，使無需冗長試錯過程就遴選出製程參數的最佳設置成為可能。SUSS與供應商GenISys公司共同發行的多功能曝光製程類比軟體 "Lab"，首先且最重要的，是讓操作者能夠更好地控制製程。它為整合設計和製程開發、驗證和優化提供了所需的模擬功能。同時，它涵蓋了從照明成形、光罩佈局優化到光阻劑處理的所有製程步驟。此外，現代化的3D類比功能改善了模型的視覺化。

MO Exposure Optics與Lab中SUSS optics定制開發的光學模型相結合，促進了曝光濾光片的客戶專用設計優化，從而導致了圖案保真度的提高。

亮點

• 光罩對準機曝光製程的完整模擬
• 可調整的照明參數（準直、光譜組成），所有SUSS光學器件均可客制開發。
• 快速、靈活的視覺化，以及1D、2D和3D的定量預測

壓印光刻代表了一種經濟高效且高度可靠的方法，可將三維納米或微尺度圖案轉移到各種基板上。

對於印記，印章與基材上的感光材料接觸。光刻膠填充印章的三維圖案，然後在紫外光下凝固。圖案形貌、結構解析度和縱橫比等參數對工藝質量有相當大的影響。

由於與成熟的半導體工藝相容，壓印光刻技術在DFB鐳射器、HB LED、晶圓級相機和MEMS的開發和生產中發揮著關鍵作用。

SUSS壓印光刻解決方案基於手動掩模對準器平臺，支援尺寸達200毫米的各種材料和基板。此外，SUSS平臺提供了將印章對齊和調平到基材的能力，以滿足許多壓印應用的要求。壓印設備也可以改裝到已經投入使用的SUSS掩模對準器上。

根據工藝要求，SUSS在其掩模對準器上提供不同的壓印技術。

• 壓印光刻手冊
• 版本印跡光刻網頁

用於在掩模對準器中粘合兩個基材的工具。