MA100/150e Gen2 掩模對準器
提高化合物半導體產量之專用光罩對準曝光機解決方案
SUSS專為化合物半導體製程所設計的光罩對準曝光機 MA100/150e Gen2，能處理高亮度 LED (HB-LED)、功率元件、RF-MEMS 等重要的化合物半導體製程。MA100/150e Gen2 具備高度精準的對準功能，可為易碎、翹曲、透明的晶圓，進行客製化基材處理，還可輔以高達 0.7µm 的高解析度光學系統，使 MA100/150e Gen2 可解決LED製程上目前的難題，協助您進一步縮減製程成本及提高生產效率，並克服 LED 製程上的各種微影挑戰。
強調
- 專為 HB-LED、供電裝置、RF-MEM 等而設計的專用光罩對準曝光機解決方案
- 可同時處理三片晶圓能力，可提供每小時高達 145 片晶圓的生產率（包含自動對準及曝光
- SUSS 繞射式光學元件能以近接式曝光, 解決解析度方面的挑戰（在四吋晶圓上, 薄膜光阻的曝光間距為 20µm 時, 可小至 3µm L/S)
- 可提供多尺寸的配件，減少更改晶圓尺寸的時間
- 非接觸式預先對準能防止晶圓損壞
- 藍寶石晶圓的“線對準”功能可將劃線精確對準光掩模
MA100/150e Gen 2 可透過SUSS 經生產驗證的光罩對準曝光機設計，為新的裝置設計提供卓越的製程擴充能力，並可加速上市時間，同時可提供領先於業界，每小時 145 片晶圓的高生產率，協助您縮短生產週期時間。
經過優化設計後的MA100/150e Gen2，可針對上至四英吋的小尺寸晶圓。該系統可穩定提供小至 ±0,7 µm (DirectAlign) 的對準精準度，而選配的背面對準系統 (Bottomside alignment, BSA) 則可提供小至 ±1.5 µm 的對準精準度。MA100/150e 的對準裝置是專為 LED 製程的特殊需求而量身設計，即便是透明和表面粗糙的晶圓，亦能提供卓越的對比度。
