インプリントリソグラフィ

SUSSマスクアライナー用マイクロおよびナノインプリントソリューション

SUSSは、さまざまなアプリケーションの特定のプロセス要件に合わせて調整された、インプリント技術へのさまざまなアプローチを提供しています。すべてのインプリントソリューションは、高い評価を得ているSUSSの半自動マスクアライナー技術に基づいており、複数の基板材料と、小片から300 mm径ウェハーまでのサイズをサポートしています。

マスクアライナープラットフォームは、スタンプと基板の正確な位置合わせを可能にするだけでなく、スタンプと基板の正確なレベリングや接触圧力制御などの有用な機能も提供します。プロセスレシピは簡単に編集できるため、関連するすべてのパラメーターを高度に調整できます。すでに現場で使用されているSUSSのマスクアライナーは、インプリント装置で簡単にアップグレードできます。

SUSS Imprint Technologies

SUSS manual and semi-automated mask aligners are designed for maximum versatility. Fast and easy switching between all options and wafer/substrate sizes is at the core of SUSS’s imprint technologies. Different options in one tool save clean room space as well as investment costs, thus providing a high degree of flexibility in process and device development.

SCIL

大面積ナノインプリント

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ハイライト

  • 最大200mmまでの全面インプリント
  • 高分解能 (< 70 nm)
  • 高い位置合わせ精度 (± 1 µm)
  • 長寿命スタンプ

SCIL(基板コンフォーマルインプリントリソグラフィ)技術は、需要の高いインプリントプロセスに特に適しています。ここでは、ソフトスタンプを硬質で柔軟なガラスキャリヤと組み合わせて使用することで、優れた接触均一性と非常に高い忠実度のパターン転写を実現しています。

インプリントは圧力ではなく毛細管力によって行われるため、コンタクトプロセス中に構造が変化することはありません。また、順次コンタクトを行うため、空隙ができず、歩留まりが非常に高く、生産性が向上します。

その優れた構造複製と高い均一性により、SCIL技術は、光学素子、MEMS/NEMS、HB LEDやVCELSの製造など、高品質のエッチングマスクが必要な非常に要求の厳しいすべてのプロセスに適しています。

SCIL技術はPhilips Researchと共同で開発されました。

SMILE

マイクロおよびナノインプリンティング

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  • レジスト層の厚さと均一性を正確に制御
  • ウェハー両面を利用する構造が可能
  • レンズウェハーの積層とUVボンディング
  • 高い位置合わせ精度 (+/- 1 µm)
  • アクティブエリアの接触を避けるためのエッジ処理またはバッファウェハーの適用
  • 反ったウェハーのハンドリング

マイクロからナノメートル領域でのパターン転写には、SMILE(SSS MicroTec社製インプリントリソグラフィー装置)技術を提供しています。

2通りのプロセスがあり、その使用は目的の解像度によって異なります。

  • 微細構造の転写では、感光性ポリマーは基板の中央に蒸着され、そこから放射状に外縁部へと広がり、スタンプキャビティに充填されます。プロセスギャップの正確な位置は、クローズドフィードバックループによってアクティブに制御され、優れた信頼性で残留層厚を達成することができます。
  • ナノ構造を転写するために、フレキシブルスタンプを使用してコーティングされた基板の中央部に接触させ、その後、接触部を放射状に広げる。

このプロセスにより、マイクロパターンとナノパターンの両方を非常に正確に露光できるため、幅広い潜在的なアプリケーションに対応でき、優れたプロセス柔軟性が得られます。SMILEは、MEMSやウェハーレベルカメラ用光学レンズの製造などに使用されています。

スタンプ製造

ナノおよびマイクロインプリントプロセス用のスタンプ

SUSSのUV-SFT8スタンプ製造装置は、UV-LEDユニットを備えた、インプリント用の高品質複合加工スタンプを製造するための卓上型ソリューションです。スタンプ製造装置は、SUSS MA/BA Gen4 ProおよびMA/BA Gen4マスクアライナーで使用できます。スタンプは、LED、MEMS/NEMS、マイクロ光学、拡張現実、光電子センサー等の分野で、多種多様なインプリントアプリケーションに使用されています。

スタンプの伝統的な製造方法は、熱硬化に基づいています。この方法では、硬化に数時間かかる場合があります。生産プロセスを加速し、スループットを向上させるために、UV光を使用して硬化できる新しいスタンプ材料が開発されました。この新しい製造手順により、スタンプの製造時間をわずか数分に短縮することができます。

UV光の均一性が±5%と高いため、均質な硬化スタンプが得られ、構造物の忠実度も高くなります。また、UV硬化型スタンプ材料に対応しているため、R&DからHVMまで様々なアプリケーションに対応することができます。

オプションのパドルディスペンスシステムを使用すると、スタンプ材料を放射状に対称的に伝播させることができます。さらに、ディスペンスシステムにより、制御可能な量だけを塗布できるため、材料を節約し、廃棄物を減らすことができます。この装置は、従来のサーマルシステムからUV-LEDへの現場でのアップグレードが可能です。

ハイライト

  • 硬化時間の短縮
  • 実績のあるUV-LED露光技術の使用
  • 多種多様なUV硬化スタンプ材に対応
  • 従来のサーマルシステムからUV-LEDへの現場でのアップグレードが可能
  • パドルディスペンス用のオプションシステム

Applications

Special substrate conditions such as uneven or warped wafers, materials like glass, sapphire, II-V compounds and challenging structure properties such as high aspect ratios, small feature sizes or non-periodic structures, place high demands on imprint equipment. SUSS’s imprint solution portfolio offers the flexibility to cover a wide range of applications.

LED

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高性能LED 需要は、製造業をPSS/nPSS技術に向けてリードしています。SUSSのインプリント技術の費用対効果と高い歩留まりは、この競争の激しい市場の課題に最適に対処します。

MEMS/ NEMS

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高性能LEDの需要は、製造業者の目をPSS/nPSS 技術に向けさせています。SUSSのインプリント技術の費用対効果と高い歩留まりは、この競争の激しい市場の課題に最適に対処します。

マイクロオプティクス

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インプリントリソグラフィは、ウェハーレベルカメラやイメージセンサーなどの光学素子の製造を、確立された半導体プロセスに理想的に適合させます。SUSSは、特に光学素子のパターニングに特化した信頼性の高いインプリントソリューションを提供します。

太陽光発電

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太陽電池のアプリケーションは、非周期的な構造と特殊な基板材料のため、標準的なインプリントリソグラフィーでは困難です。SUSSは、壊れやすい材料に不規則な構造を正確に再現するフルフィールドインプリントソリューションを提供します。

Products

All imprint solutions are based on SUSS’s highly regarded semi-automated mask aligner suite and support multiple substrate materials and sizes from small pieces up to 200 mm wafers. The mask aligner platform not only allows for accurate alignment of stamp to substrate but also provides valuable functionalities such as precise stamp-to-substrate levelling and contact pressure control. Process recipes are conveniently edited, offering a high degree of adjustability for all relevant parameters. SUSS mask aligners already in the field are easily upgraded with imprint tooling.

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